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专利名称：干刻蚀方法和干刻蚀设备专利类型：发明专利发明人：高桥秀治,进藤春雄申请号：CN201110092994.0申请日：20110413公开号：CN102222612A公开日：20111019
摘要：本发明涉及一种干刻蚀方法和干刻蚀设备，该干刻蚀方法包括步骤：将处理气体供给真空容器的内部，并且将用于等离子体产生的高频电源供给布置在所述真空容器中的等离子体产生单元的电极，以便产生等离子体；和对衬底施加高频偏压以便执行衬底的刻蚀，所述衬底是待刻蚀部件，其中，所述刻蚀是这样执行的：通过采取使用了用于偏压的高频电源和用于偏压的直流电源的布置以便施加其中叠加了高频电压和直流电压的衬底偏压，来将其中衬底偏压的自偏压Vdc不小于0伏特的高频偏压从这些电源经由变压器施加到所述衬底，与此同时执行所述刻蚀，其中所述用于偏压的高频电源被变压器耦合到所述衬底，并且所述用于偏压的直流电源被串联连接到变压器的次级侧。
申请人：富士胶片株式会社,学校法人东海大学
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：北京天昊联合知识产权代理有限公司
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