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一种硅基底薄膜的制备方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种硅基底薄膜的制备方法专利类型:发明专利发明人:郑泉水,柏帆

申请号:CN202010596546.3申请日:20200628公开号:CN1112013A公开日:20201106

摘要:本发明提供一种硅基底薄膜的制备方法,在硅基底上涂布光刻胶,在涂胶面预先开槽,控制槽的深度和宽度,并利用酸溶液进行平整化处理,待硅基底毛边处理干净之后去胶、清洗、烘干、镀膜,再用薄金刚石刀片,沿着预开槽的中心线将硅基底完全切开,获得完整的硅基底薄膜,边缘无破损。

申请人:深圳清华大学研究院,清华大学

地址:518057 广东省深圳市南山区科技园高新南七道深圳清华大学研究院

国籍:CN

代理机构:深圳市惠邦知识产权代理事务所

代理人:满群

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