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专利名称：SRAM存储器及其形成方法专利类型：发明专利发明人：甘正浩,冯军宏申请号：CN201710100582.4申请日：20170223公开号：CN108470734A公开日：20180831
摘要：一种SRAM存储器及其形成方法，其中方法包括：提供基底；形成传输晶体管，形成所述传输晶体管的方法包括：在所述基底上形成传输栅极结构，传输栅极结构底部的基底中具有沟道区，所述传输栅极结构具有相对的第一侧和第二侧；在所述传输栅极结构第一侧的基底中形成第一应力层，第一应力层的底部表面至传输栅极结构的底部表面具有第一距离；在所述传输栅极结构第二侧的基底中形成第二应力层，第二应力层和第一应力层的材料相同，第二应力层的底部表面至传输栅极结构的底部表面具有第二距离，第二距离小于第一距离。所述方法使得SRAM存储器的电学性能得到提高。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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