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专利名称：沟槽型功率器件的沟槽栅结构专利类型：实用新型专利发明人：常虹
申请号：CN202020530709.3申请日：20200410公开号：CN211455690U公开日：20200908
摘要：一种沟槽型功率器件的沟槽栅结构，在半导体基底的沟槽内底部的设有厚氧化层，沟槽侧壁形成沟槽型功率器件的栅氧化层，及在沟槽内沉积形成一个塞状多晶硅栅极，且在厚氧化层上方及多晶硅栅极下方设有第一部，及包覆第一部的第二部。透过第一部及第二部的存在，在后续工序中将保留第二部下方的厚氧化层，从而能降低工艺成本；能在更小深宽比的沟槽中形成良好的TBO(Thick Bottom Oxide)，从而能适用于各种深宽比的沟槽的TBO形成，从而具有较大的使用范围。
申请人：南京紫竹微电子有限公司
地址：210008 江苏省南京市江北新区星火路17号创智大厦B座10C-A137室
国籍：CN
代理机构：上海容慧专利代理事务所(普通合伙)
代理人：于晓菁
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