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专利名称：半导体存储器专利类型：发明专利发明人：浅野勇,川越刚申请号：CN200610105510.0申请日：20060707公开号：CN17292A公开日：20070117
摘要：在半导体存储器中，所述的半导体存储器包含存储单元的矩阵，每个存储单元由一个晶体管和作为存储元件的一个硫属元素化物层组成，在连接到硫属元素化物层的上电极线和另一配线层之间的接头处没有安置硫属元素化物层。
申请人：尔必达存储器股份有限公司
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：王旭
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