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专利名称：存储器元件的半导体结构及布局结构专利类型：发明专利
发明人：陈震,王献德,邱意珊,程伟申请号：CN201410031716.8申请日：20140123公开号：CN104810369A公开日：20150729
摘要：本发明公开一种存储器元件的半导体结构及布局结构，其布局结构包含有多个第一栅极图案、多个第一接触垫图案、多个虚置图案、多个第二接触垫图案、以及多个第二栅极图案。该等第一接触垫图案彼此平行且与该等第一栅极图案电性连接。该等虚置图案与该等第一接触垫图案交错排列，而该等第二接触垫图案则分别设置于一该第一接触垫图案与一该虚置图案之间。另外，该等第二栅极图案是电性连接至该等第二接触垫图案。
申请人：联华电子股份有限公司
地址：中国新竹科学工业园区
国籍：CN
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：陈小雯
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