美国半导体工业用纯水指标
项目 电阻率（MΩ.cm) TOC(μg/L) THM(μg/L) 粒子数/L SEM法 0.1～0.2μm 0.2～0.3μm 0.3～0.5μm 〉0.5μm 粒子数/L 激光法 0.3～0.5μm 〉0.5μm 细菌数/100mL 培养法 SEM法 EPI法 溶解的SiO2(μg/L) 硼(μg/L) 离子(μg/L) Na+ K+ Cl- Br+ NO3- SO24- 总离子 残留物（mg/L) 检测限度 18.2 5 <1 - - - - <1 <1 <1 - 0.25 0.05 0.05 0.1 0.05 0.1 0.1 0.1 0.5 <0.1 1M DEAM 水质要求 18.2 <10 - - - <200 <1 - - 0 <1 <5 <0.4 <0.05 <0.05 <0.01 <0.05 <0.1 <0.1 0.3 <0.5 <0.1 1M DEAM 可接受的水质 18 <30 - - <2000 <200 <1 - <100 <5 <10 <50 4 2 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.05 <1.7 <0.1 <1μm VLSI 18.2 <10 <3 <1500 <800 <50 <1 <50 <1 0 <5 <10 3 0.0005 0.025 0.05 0.025 0.05 0.5 0.2 <0.2 <0.05 VLSI目标 18.2 5 - <1000 <500 <10 <1 <10 <1 0 0 <1 1 - - <0.05 - - ①*Temperature and pressure values to be determined
金属(μg/L) Li Na K Mg Ca Sr Ba B Al Cr Mn Fe Ni Cu Zn Pb
0.03 0.05 0.05 0.02 2 0.01 0.01 0.05 0.05 0.02 0.02 0.1 0.02 0.02 0.02 0.05 <0.03 <0.05 <0.05 <0.02 <2 <0.01 <0.05 <0.05 <0.02 <0.02 <0.02 <0.02 <0.02 <0.02 <0.02 <0.05 0.05 0.1 0.1 0.05 <2.0 0.05 0.05 2 0.05 0.05 0.05 0.1 0.05 0.05 0.05 0.05 0.003 0.005 0.005 0.002 0.002 0.001 0.001 0.005 0.005 0.002 0.002 0.002 0.002 0.002 0.002 0.005 - - - - - - - - - - - - - - - - *Temperature and pressure values to be determined