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专利名称：嵌入式闪存的版图结构、嵌入式闪存及其形成方法专利类型：发明专利
发明人：李冰寒,江红,王哲献,高超,于涛易申请号：CN201910611267.7申请日：20190708公开号：CN110349960A公开日：20191018
摘要：本发明提供一种嵌入式闪存的版图结构、嵌入式闪存及其形成方法，所述嵌入式闪存的版图结构包括：字线版图，所述字线版图具有多个字线图案；区块版图，所述区块版图具有多个区块图案，所述字线图案与所述区块图案具有重叠区域，所述重叠区域的形状呈Z字形；接触孔版图，所述接触孔版图具有多个接触孔图案，每两个所述接触孔图案与一个所述区块图案交叠，两个所述接触孔图案分别位于所述重叠区域的两侧。本发明通过所述重叠区域的形状呈Z字形增加了接触孔的工艺窗口，降低了接触孔与相邻字线的控制栅的连接异常的发生。
申请人：上海华虹宏力半导造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：屈蘅
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