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专利名称：半导体晶圆结构专利类型：发明专利
发明人：蔡豪益,蔡佳伦,侯上勇,郑心圃,许仕勋,许惟迪,林克
峰,陈俊仁
申请号：CN200710088724.6申请日：20070320公开号：CN101150094A公开日：20080326
摘要：为解决测试垫剥离问题，本发明提供一种半导体晶圆结构，包括多个晶粒。第一切割线沿第一方向延伸，第二切割线沿第二方向延伸且与该第一切割线交叉，其中该第一切割线与该第二切割线具有交叉区域。第一测试线形成于该第一切割线中，其中该第一测试线越过该交叉区域。多个第一测试垫形成于该第一测试线中，其中所述第一测试垫仅形成于未被占用的区域的外侧，该未被占用的区域实质上定义于该交叉区域中。本发明可显著减少低介电常数材料的剥离问题，并且不仅给测试线提供了设置上的较大弹性，还可增加测试线的长度及测试线中测试垫的数目，此外，还可在各晶圆中制造出更多的晶粒。
申请人：积体电路制造股份有限公司
地址：中国新竹市
国籍：CN
代理机构：隆天国际知识产权代理有限公司
代理人：陈晨
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